FDMS86200DC分立半导体产品晶体管-技术参数
技术参数
品牌: | ON Semiconductor |
型号: | FDMS86200DC |
封装: | SOP |
数量: | 15860 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | DualCool-56-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 150 V |
Id-连续漏极电流: | 28 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 14 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 3.3 V |
Qg-栅极电荷: | 30 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 125 W |
配置: | Single |
高度: | 1.05 mm |
长度: | 6 mm |
系列: | FDMS86200DC |
晶体管类型: | N-Channel |
宽度: | 5 mm |
正向跨导 - 最小值: | 32 S |
下降时间: | 5 ns |
上升时间: | 4 ns |
典型关闭延迟时间: | 23 ns |
典型接通延迟时间: | 16 ns |
单位重量: | 90 mg |
概述:
这种N沟道MOSFET是使用onsemi的先进技术生产的POWERTRENCH®工艺,包含屏蔽门技术硅和DUAL COOL®的进步封装技术已经结合起来,提供了最低的rDS同时通过极低的接头−至−环境热阻。
特点:
•屏蔽栅MOSFET技术
•DUAL COOL®顶侧冷却DFN8组件
•VGS=10 V,ID=9.3 A时,最大rDS(开启)=17 m
•VGS=6 V,ID=7.8 A时,最大rDS(开启)=25 m
•用于极低rDS的高性能技术(打开)
•100%UIL测试
•符合RoHS
应用程序:
•DC-DC转换器中的主MOSFET
•二次同步整流器
•负载开关