NVMFS5C442NLAFT1G分立半导体产品-技术参数
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | NVMFS5C442NLAFT1G |
| 封装： | DFN5 |
| 批号： | 19+ |
| 数量： | 46500 |
| 制造商： | onsemi |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8FL-4 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 130 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 2 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 50 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 83 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 9.4 ns |
| 正向跨导 - 最小值： | 116 S |
| 上升时间： | 8.3 ns |
| 晶体管类型： | 28 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 12 ns |
| 典型接通延迟时间： | 750 mg |
特点:
•占地面积小（5x6 mm），设计紧凑
•低RDS（开启）以最大限度地减少传导损耗
•低QG和电容，最大限度地减少驱动器损耗
•NVMFS5C442NLWF−可湿性侧翼选项，用于增强型光学视察
•AEC−Q101合格且具备PPAP能力
•这些设备不含铅，符合RoHS标准
