ESD8006MUTAGESD 抑制器/TVS 二极管-型号参数
技术参数
| 品牌： | ON安森美 |
| 型号： | ESD8006MUTAG |
| 封装： | UDFN-8 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 15000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | ESD 抑制器/TVS 二极管 |
| RoHS： | 是 |
| 极性： | Unidirectional |
| 工作电压： | 3.3 V |
| 通道数量： | 6 Channel |
| 端接类型： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | UDFN-8 |
| 击穿电压： | 5.5 V |
| 钳位电压： | 8.4 V |
| Vesd - 静电放电电压触点： | 15 kV |
| Vesd - 静电放电电压气隙： | 15 kV |
| Cd - 二极管电容 ： | 0.32 pF |
| Ipp - 峰值脉冲电流： | 16 A |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 系列： | ESD8006 |
| 单位重量： | 14.800 mg |
ESD8006专为保护USB 3.0和来自ESD的Thunderbolt接口。超低电容和低ESD箝位电压使该器件成为保护电压敏感的高速数据线。流经样式封装允许简单的PCB布局和匹配的迹线长度在高速之间保持一致阻抗所必需的差动线路。
特点：
•低电容(最大0.25 pF，输入/输出至GND)
•以下IEC标准的保护：IEC 61000−4−2(4级)
•低ESD箝位电压
•汽车和其他需要唯一的应用程序的SZ前缀现场和控制变更要求;AEC−Q101合格且PPAP能力
•这些设备不含Pb−、无卤素/BFR且符合RoHS顺从的
典型应用：
•USB 3.0/3.1
•霹雳
•显示端口
