SI2399DS-T1-GE3分立半导体产品-技术方案
技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SI2399DS-T1-GE3 |
| 封装： | SOT23 |
| 批号： | 2303+ |
| 数量： | 12741 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 20 V |
| Id-连续漏极电流： | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 34 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 12 V, + 12 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 10 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | SI2 |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 9 ns |
| 上升时间： | 20 ns |
| 晶体管类型： | 28 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 22 ns |
| 典型接通延迟时间： | SI2399DS-T1-BE3 |
特性
•无卤素，符合IEC 61249-2-21
释义
•TrenchFET®功率MOSFET
•100%Rg测试
•符合RoHS指令2002/95/EC
应用程序
•负载开关
•PA开关
•DC/DC转换器
