STD3NK50ZT4分立半导体产品-技术资料
技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | STD3NK50ZT4 |
| 封装： | TO-252-3 |
| 批号： | 19+ |
| 数量： | 2500 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 500 V |
| Id-连续漏极电流： | 2.3 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 2.8 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 30 V |
| Qg-栅极电荷： | 11 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 45 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 2.4 mm |
| 长度： | 6.6 mm |
| 系列： | STD3NK50ZT4 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 6.2 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 1.5 S |
| 下降时间： | 14 ns |
| 上升时间： | 13 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 24 ns |
| 典型接通延迟时间： | 8 ns |
| 单位重量： | 4 g |
说明：
超级MESH™ 级数是通过ST完备条带的极端仿制药基于PowerMESH™ 布局除了显著降低阻力外，还要特别小心用于确保最苛刻的应用。这种系列补充了ST全系列的高压MOSFETicluding革命性MDmesh™ 产品
应用程序：
■ 交流适配器和电池充电器
■ 开关电源
■ 照明
