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FDMS86200DC分立半导体产品晶体管-技术参数


FDMS86200DC.png

技术参数

品牌:ON Semiconductor
型号:FDMS86200DC
封装:SOP
数量:15860
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DualCool-56-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续漏极电流:28 A
Rds On-漏源导通电阻:14 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3.3 V
Qg-栅极电荷:30 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:125 W
配置:Single
高度:1.05 mm
长度:6 mm
系列:FDMS86200DC
晶体管类型:N-Channel
宽度:5 mm
正向跨导 - 最小值:32 S
下降时间:5 ns
上升时间:4 ns
典型关闭延迟时间:23 ns
典型接通延迟时间:16 ns
单位重量:90 mg

概述:

这种N沟道MOSFET是使用onsemi的先进技术生产的POWERTRENCH®工艺,包含屏蔽门技术硅和DUAL COOL®的进步封装技术已经结合起来,提供了最低的rDS同时通过极低的接头−至−环境热阻。

特点:

•屏蔽栅MOSFET技术

•DUAL COOL®顶侧冷却DFN8组件

•VGS=10 V,ID=9.3 A时,最大rDS(开启)=17 m

•VGS=6 V,ID=7.8 A时,最大rDS(开启)=25 m

•用于极低rDS的高性能技术(打开)

•100%UIL测试

•符合RoHS

应用程序:

•DC-DC转换器中的主MOSFET

•二次同步整流器

•负载开关