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NVMFS5C442NLAFT1G分立半导体产品-技术参数


NVMFS5C442NLAFT1G.png

技术参数

品牌:ON
型号:NVMFS5C442NLAFT1G
封装:DFN5
批号:19+
数量:46500
制造商:onsemi
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8FL-4
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:130 A
Rds On-漏源导通电阻:2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:50 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:83 W
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
配置:Single
下降时间:9.4 ns
正向跨导 - 最小值:116 S
上升时间:8.3 ns
晶体管类型:28 ns
典型关闭延迟时间:12 ns
典型接通延迟时间:750 mg

特点:

•占地面积小(5x6 mm),设计紧凑

•低RDS(开启)以最大限度地减少传导损耗

•低QG和电容,最大限度地减少驱动器损耗

•NVMFS5C442NLWF−可湿性侧翼选项,用于增强型光学视察

•AEC−Q101合格且具备PPAP能力

•这些设备不含铅,符合RoHS标准