NVMFS5C442NLAFT1G分立半导体产品-技术参数
技术参数
品牌: | ON |
型号: | NVMFS5C442NLAFT1G |
封装: | DFN5 |
批号: | 19+ |
数量: | 46500 |
制造商: | onsemi |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SO-8FL-4 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 130 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 2 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 50 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 83 W |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
配置: | Single |
下降时间: | 9.4 ns |
正向跨导 - 最小值: | 116 S |
上升时间: | 8.3 ns |
晶体管类型: | 28 ns |
典型关闭延迟时间: | 12 ns |
典型接通延迟时间: | 750 mg |
特点:
•占地面积小(5x6 mm),设计紧凑
•低RDS(开启)以最大限度地减少传导损耗
•低QG和电容,最大限度地减少驱动器损耗
•NVMFS5C442NLWF−可湿性侧翼选项,用于增强型光学视察
•AEC−Q101合格且具备PPAP能力
•这些设备不含铅,符合RoHS标准