品牌: | ON安森美 |
型号: | NVD5C684NLT4G |
封装: | DPAK |
批号: | 21+ |
数量: | 10000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 38 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 13.7 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V |
Qg-栅极电荷: | 9.6 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 27 W |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
配置: | Single |
系列: | NVD5C684NL |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
正向跨导 - 最小值: | 30 S |
下降时间: | 40 ns |
上升时间: | 43 ns |
典型关闭延迟时间: | 25 ns |
典型接通延迟时间: | 8 ns |
单位重量: | 340 mg |
特征
•低RDS(开启),最大限度地减少传导损耗
•低QG和电容,最大限度地减少驱动器损耗
•AEC−Q101合格且具备PPAP能力
•这些设备不含Pb−、无卤素/BFR,并且符合RoHS顺从的
1.整个应用环境影响所示的热阻值,它们不是常数,并且仅对所述的特定条件有效。
2.表面安装在FR4板上,使用650平方毫米、2盎司的铜垫。
3.长达1秒的脉冲的最大电流更高,但取决于脉冲持续时间和占空比。